特許

J-GLOBAL ID：200903057968740862

基板処理装置

発明者： 深澤 和夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 櫻井 俊彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-189253
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013350
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】〔目的〕半導体ウェハ等の基板の処理機構と共に真空室内に設置された保持台と、これに保持された基板との間に形成される空隙内にガスを供給し排出するガス供給・排出機構を備えた基板処理装置において、処理中の基板の表面温度の均一化を図る。【構成】上記ガス供給・排出機構が、流量及び圧力の少なくとも一方を個別に制御可能な複数の系統に分離されている。

請求項（抜粋）：

処理対象の半導体ウェハその他の基板を保持する保持台と、この保持台を収容する真空室と、この真空室内に設置される基板処理機構と、前記保持台とこれに保持された前記処理対象の基板との間に形成される空隙内にガスを供給し排出するガス供給・排出機構とを備えた基板処理装置において、前記ガス供給・排出機構は、流量及び圧力の少なくとも一方が個別に制御可能な複数の系統に分離されたことを特徴とする半導体ウェハの処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  B01J 4/00 102 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-275797
  
• 特開昭59-181610
  
• 特開平2-275797