特許

J-GLOBAL ID：200903057969410670

半導体装置及びその製造方法

発明者： 門倉 昭三
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-134492
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312670
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 異種の金属含有膜の積層構造を含む導電膜に対する開口内で露出している下層側の金属含有膜との接続不良や外観不良を回避する。【解決手段】 Ti膜等である反射防止膜14とAl-Cu膜13との積層構造を含む導電膜15をパッシベーション膜16で覆い、Al-Cu膜13を露出させる開口18を形成し、開口18の内側面を覆う側壁保護膜22を形成した後に、水溶液による洗浄を行う。このため、Ti膜等である反射防止膜14とAl-Cu膜13との界面が外界に露出しておらず、局部的な電池効果が発生しなくて、Alの溶出とAlの水化物等の再付着とが回避される。

請求項（抜粋）：

第1の金属含有膜とこの第1の金属含有膜上に積層されておりこの第1の金属含有膜とは異種の第2の金属含有膜とを含む導電膜と、この導電膜を覆っている絶縁膜と、この絶縁膜及び前記第2の金属含有膜に設けられて前記第1の金属含有膜を露出させている開口と、この開口の内側面を覆っている側壁保護膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/302 G ,  H01L 21/88 T