特許

J-GLOBAL ID：200903057969802578

強誘電体メモリ装置

発明者： 大村 正由 ,  中野 洋
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222896
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039860
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、非破壊読み出しでき、高寿命化され、且つ集積化に好適する強誘電体メモリを提供することを目的とする。【構成】本発明は、メモリセル部に使用する強誘電体キャパシタが膜厚d、面積S1 の分極P1 部分と片側電極部しかもたない面積S2 の斜め分極P2 に対し、P1 方向の成分のP2 ′部分から成り、それらの分極P1 とP2 ′の合成ヒステリシス特性がツイスティドヒステリシス特性を有し、該ツイスティドヒステリシス特性のメモリ状態“0”とメモリ状態“1”の2値において、バックスイッチング現象による非破壊読み出しが可能になる強誘電体メモリ装置である。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された導電体膜からなる第1電極と、前記第1電極上に形成され、情報が書き込まれる強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成された導電体膜から成る複数の第2電極とを具備する強誘電体キャパシタにおいて、前記第1電極と前記第2電極との形成配置若しくは、対向する電極面積の大きさのうち、少なくともどちらか一方が異なることを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451

FI (2件)：

G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451