特許

J-GLOBAL ID：200903057971591592

ポジ型レジスト材料

発明者： 竹村 勝也 ,  土谷 純司 ,  石原 俊信 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  中村 二朗
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331722
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160605
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】シリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤と、溶解阻止剤との3成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料であって、上記溶解阻止剤が、下記一般式(2)、(3)又は(4)で示されるシリコーン化合物のカルボキシ基又はヒドロキシ基をt-ブチル基又はt-ブトキシカルボニルメトキシ基で保護したものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。(式中、R1はメチル基又はフェニル基、R2はカルボキシエチル基又はp-ヒドロキシフェニルアルキル基を示す。Xはトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基又は-SiR12R2(R1,R2は上記と同様)基を示す。aは0〜50の整数、bは1〜50の整数、cは3〜10の整数を示す。)【効果】高エネルギー線に感応し、感度、解像性に優れ、酸素プラズマエッチング耐性に優れた、微細なパターンを高アスペクト比で形成し得るポジ型レジスト材料を提供する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)【化1】(式中、Qはt-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤と、溶解阻止剤との3成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料であって、上記溶解阻止剤が、下記一般式(2)、(3)又は(4)【化2】(式中、R1はメチル基又はフェニル基を示し、R2はカルボキシエチル基又はp-ヒドロキシフェニルアルキル基を示す。Xはトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基又は-SiR12R2(R1,R2は上記と同様の意味を示す)基を示す。aは0〜50の整数、bは1〜50の整数、cは3〜10の整数を示す。)で示されるシリコーン化合物のカルボキシ基又はヒドロキシ基をt-ブチル基又はt-ブトキシカルボニルメチル基で保護したものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (6件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/027