特許

J-GLOBAL ID：200903057972459540

半導体装置の製造方法

発明者： 簗木 稔夫
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-018294
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089902
出願日： 1991年01月18日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 イオン打ち込みに起因して発生するテールの存在、結晶欠陥、ベース厚のバラツキ等の問題点をなくしたSOI構造の半導体装置を製造する方法を提供すること。【構成】 作成されるトランジスタのベースとして出発物質としての基板の一部をそのまま使用する、つまりベースの作成にイオン打ち込みを使用しないようにした。

請求項（抜粋）：

ベース濃度の第1導電型の基板を用意する第1工程と、該基板の片面に第2導電型の埋込層を形成する第2工程と、該埋込層の表面から上記基板内にベース深さだけ入り込む深さに溝を形成して該溝内壁および上記埋込層の表面に酸化膜を形成する第3工程と、該酸化膜の上面にポリシリコンを被着する第4工程と、該ポリシリコンの上面に半導体ウエハを張り合わせる第5工程と、上記基板の裏面側から上記溝の酸化膜まで切削・研磨して上記酸化膜で分離された1又は2以上の島を形成する第6工程と、該島内に上記基板の一部をベースとするトランジスタを作成する第7工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-107161
  
• 特開昭63-058956