特許

J-GLOBAL ID：200903057972853027

結晶成長方法及びレーザアニール装置

発明者： 浜田 史郎
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010478
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218027
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 一つのレーザ光源を用いて、種結晶の形成と成長とを行うことが可能な結晶成長方法を提供する。【解決手段】 Qスイッチレーザ発振器のQスイッチをオン状態からオフ状態に変化させた時に出力されるパルスレーザビームを、アモルファス状態の対象部材に入射させ、照射された部分を結晶化させて種結晶を形成する。Qスイッチレーザ発振器のQスイッチをオフ状態にした状態で出力される連続波レーザビームを、対象部材の、種結晶の形成された位置に入射させ、連続波レーザビームの入射位置を、種結晶から遠ざかる方向に移動させることにより種結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

(a)Qスイッチレーザ発振器のQスイッチをオン状態からオフ状態に変化させた時に出力されるパルスレーザビームを、アモルファス状態の対象部材に入射させ、照射された部分を結晶化させて種結晶を形成する工程と、(b)前記Qスイッチレーザ発振器のQスイッチをオフ状態にした状態で出力される連続波レーザビームを、前記対象部材の、前記種結晶の形成された位置に入射させ、該連続波レーザビームの入射位置を、前記種結晶から遠ざかる方向に移動させることにより前記種結晶を成長させる工程とを有する結晶成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/268 T

Fターム (9件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA12 ,  5F052BB03 ,  5F052BB04 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052FA19