特許
J-GLOBAL ID：200903057972917424
ウェーハ研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-113773
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315305
出願日： 1992年05月06日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ表面の平坦度向上を図るとともに、表裏の判定が容易なウェーハを製造する。【構成】 ウェーハの表裏全面にSiO2または/およびSi3N4からなる保護層を形成し、ウェーハ表面側の保護層をエッチング処理により除去してウェーハ露出面を形成する。このウェーハ裏面の保護層を真空吸着し、表面を精密研削した後、ウェーハを両面研磨装置にかけてメカノケミカル研磨を行ない、ウェーハ露出面のみを研磨する。さらに、裏面側の保護層をエッチング処理により除去する。
請求項（抜粋）：
ウェーハの表裏全面にSiO2または/およびSi3N4からなる保護層を形成する第1工程と、前記ウェーハの表面側を研削して表面側の前記保護層のみを除去しウェーハ露出面を形成する第2工程と、前記ウェーハを両面研磨装置にかけてメカノケミカル研磨を行ない前記ウェーハ露出面のみを研磨する第3工程と、裏面側の保護層をエッチングにより除去する第4工程とを具備することを特徴とするウェーハ研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
