特許

J-GLOBAL ID：200903057983827591

薄膜半導体装置

発明者： 津田 尚徳
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-246776
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063199
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 保護膜の緻密性を改善し、信頼性や安定性という点で、より一層の厳しい環境下においても特性や性能の保証が可能な薄膜半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも非単結晶シリコンからなる半導体層4、金属電極6、7および保護膜10を絶縁基体1上に形成してなる薄膜半導体装置において、前記保護膜10はイオン打ち込みされた不純物を含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも非単結晶シリコンからなる半導体層、金属電極および保護膜を絶縁基体上に形成してなる薄膜半導体装置において、前記保護膜はイオン打ち込みされた不純物を含有することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/318 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 29/78 311 N ,  H01L 23/30 D ,  H01L 31/10 A