特許
J-GLOBAL ID:200903057984839470
固体レーザ励起用半導体レーザ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
光石 俊郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-338534
公開番号(公開出願番号):特開平9-181376
出願日: 1995年12月26日
公開日(公表日): 1997年07月11日
要約:
【要約】【課題】 固体レーザ媒質の吸収スペクトルと高出力励起用半導体レーザの発振スペクトルの同調が可能で、高効率で高出力の固体レーザ発振が達成できる固体レーザ励起用半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 固体レーザを光励起するための光源として半導体レーザの一次元アレイ素子1を二次元的に配置してなる固体レーザ励起用半導体レーザにおいて、前記固体レーザ媒質の吸収波長帯と前記アレイ素子の発振波長帯を同調させるために、前記アレイ素子1の発振波長を常温状態で前記固体レーザ媒質の吸収波長帯より短波長側としたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
固体レーザを光励起するための光源として半導体レーザの一次元アレイ素子を二次元的に配置してなる固体レーザ励起用半導体レーザにおいて、前記固体レーザ媒質の吸収波長帯と前記アレイ素子の発振波長帯を同調させるために、前記アレイ素子の発振波長を常温状態で前記固体レーザ媒質の吸収波長帯より短波長側としたことを特徴とする固体レーザ励起用半導体レーザ。
IPC (4件):
H01S 3/0933
, H01S 3/00
, H01S 3/042
, H01S 3/18
FI (4件):
H01S 3/091 S
, H01S 3/00 B
, H01S 3/18
, H01S 3/04 L
引用特許:
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