特許

J-GLOBAL ID：200903057985199660

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小林 正人 ,  外崎 峰広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076258
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267314
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 シリコン窒化表面保護膜を含む複層構造のかわりに、良質の表面保護作用のある表面保護膜を形成する半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基体16上にシリコン酸化物絶縁膜からなる表面保護膜23を有し、この表面保護膜23の少なくとも表面域が、イオン注入37によって改質されている、半導体装置25及びその製造方法を特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に表面保護膜を有し、この表面保護膜の少なくとも表面域が、イオン注入によって改質されている、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 N

Fターム (13件)：

5F040DA06 ,  5F040DA17 ,  5F040DC01 ,  5F040EL00 ,  5F040EL03 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF29 ,  5F058BF33 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ03