特許
J-GLOBAL ID：200903057987895370
半導体力学量センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185022
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031825
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 力学量を検出するために設けられる梁構造体の厚さ寸法を厳密に制御すること。【解決手段】 単結晶シリコン基板31上には、シリコン酸化膜32、配線パターンとなるポリシリコン薄膜33、シリコン窒化膜34、犠牲層となるシリコン酸化膜35が成膜され、開口部36が形成された後に、ポリシリコン薄膜37及び38が成膜される。ポリシリコン薄膜38上には、イオン注入層41が形成された状態の単結晶シリコン基板39が貼り合される(図2(f))。この状態から熱処理を施すことによって、単結晶シリコン基板39をイオン注入層41部分で剥離し、SOI構造とされた単結晶シリコン薄膜39aを形成する(図2(g))。次いで、単結晶シリコン薄膜39aにトレンチエッチングを施すことにより、梁構造体や固定電極などを画定するための溝パターン42を形成し(図2(h))、この後にシリコン酸化膜35をウエットエッチングにより除去するなどの工程を行う。
請求項（抜粋）：
ベース基板(1、31)と、このベース基板(1、31)上に当該ベース基板と電気的に絶縁された状態のアンカー部(3a、3b、3c、3d)を介して支持され、力学量の作用に応じて変位する半導体材料製の梁構造体(2、2′)とを備え、力学量が作用した状態での前記梁構造体(2、2′)の変位をセンサ出力として取り出すようにした半導体力学量センサの製造方法において、前記ベース基板(1、31)上に、前記アンカー部(3a、3b、3c、3d)及びこのアンカー部の周囲に位置した犠牲層用薄膜(35)を含む層を成膜する成膜工程、前記ベース基板(1、31)とは別途に用意した半導体基板(39)に対し、所定深さまでイオン注入を行ってイオン注入層(41、41′、41′′)を形成するイオン注入工程、このイオン注入工程を経た半導体基板(39)のイオン注入側の面と前記成膜工程を経た前記ベース基板(1、31)側の成膜側の面とを貼り合わせる貼り合わせ工程、熱処理を施すことにより前記半導体基板(39)を前記イオン注入層(41、41′、41′′)により形成される欠陥層領域部分で剥離する剥離工程、前記ベース基板(1、31)側に貼り合わされた状態の半導体基板(39)を所定形状に加工すると共に、前記犠牲層用薄膜(35)をウエットエッチングにより除去することによって前記アンカー部(3a、3b、3c、3d)により支持された状態の梁構造体(2、2′)を形成する整形工程、を実行することを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 Z
, G01P 15/125
