特許
J-GLOBAL ID：200903057990883332

半導体欠陥解析システムおよび方法

発明者：
有竹 俊之

有竹 俊之 について

, 
津村 和弘

津村 和弘 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056128
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252341
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 欠陥起因歩留まり解析方法の有効性を保証し、ウェーハ上の欠陥に基づく不良発生要因推定を容易化する半導体欠陥解析システムを提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ上の欠陥サイズ分布と半導体ウェーハ上に形成される半導体素子の設計データから確率欠陥数を求める確率欠陥算出部8と、半導体素子の電気不良パターンを分類することで推定欠陥数を求める推定欠陥算出部6と、確率欠陥数と推定欠陥数を比較し、確率欠陥数が推定欠陥数に一致するように欠陥サイズ分布を補正する突き合わせ部7を具備する半導体欠陥解析システムである。欠陥サイズ分布の妥当性を評価し、確率欠陥数の信頼性を高める。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハ上の欠陥サイズ分布と前記半導体ウェーハ上に形成される半導体素子の設計データから確率欠陥数を求める第1の手段と、前記半導体素子の電気不良パターンを分類することで推定欠陥数を求める第2の手段と、前記確率欠陥数と前記推定欠陥数を比較し、前記確率欠陥数が前記推定欠陥数に一致するように前記欠陥サイズ分布を補正する第3の手段とを少なくとも具備することを特徴とする半導体欠陥解析システム。
Fターム (11件)：
4M106BA14 ,  4M106CA15 ,  4M106CA38 ,  4M106CA45 ,  4M106CA46 ,  4M106DH01 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ26
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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