特許
J-GLOBAL ID：200903057994444805
多層回路基板、その製法及びそれを用いた電子機器
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210926
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078848
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、低抵抗性の導体配線を内蔵し、かつ残留炭素が少なく、良好な特性の絶縁層を有する小型,高密度のハイブリッドIC用多層回路基板及びその製法と用途とを提供することを目的とする。【構成】本発明は、低抵抗性導体配線を内蔵した多層回路基板において、本質的に製造過程における絶縁層中へ炭素が混入されない工程を提供し、結果的に、より小型,高密度の多層回路基板を提供するものである。【効果】本発明によれば、低抵抗性導体配線を内蔵し、良好な特性の絶縁層を有する多層回路基板が得られるので、電子部品を小型化もしくは高密度化できるという効果がある。
請求項（抜粋）：
複数のセラミック絶縁層を有する多層回路基板であって、前記複数のセラミック絶縁層のそれぞれは、無機材料を用いて形成されたシート状のセラミック絶縁層前駆体を焼結してなる多層回路基板。
IPC (5件)：
H05K 3/46
, B32B 7/12
, B32B 31/14
, H05K 1/03 610
, H05K 3/12
