特許

J-GLOBAL ID：200903058009169010

ITO導電膜用ターゲット材の製造方法

発明者： 一安 六夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社 ,  株式会社安来精密
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176475
公開番号（公開出願番号）：特開平5-209264
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】 酸化インジウムと酸化スズの分解を抑えた高密度のITO(インジウム-スズ酸化物)導電膜用ターゲット材の製造方法を提供する。【構成】 酸化インジウムと酸化スズを主成分とする粉体を圧縮成型して得られた成形体を酸素分圧500torr以上の雰囲気で1200〜1600°Cで焼結することを特徴とするITO導電膜用ターゲット材の製造方法である。

請求項（抜粋）：

酸化インジウムと酸化スズを主成分とする粉体を圧縮成型して得られた成形体を酸素分圧500torr以上の雰囲気で1200〜1600°Cで焼結することを特徴とするITO導電膜用ターゲット材の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08