特許
J-GLOBAL ID：200903058011392559

分離構造とその分離構造を備える半導体装置

発明者：
秋山 肇

秋山 肇 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191776
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022163
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の耐圧特性の劣化を防止することが可能な分離構造を提供する。【解決手段】 半導体基板3の主表面に形成された第1および第2の導電領域6、23の間に位置し、第1および第2の導電領域6、23を電気的に分離する分離構造であって、半導体基板3の主表面よりも深い位置に形成された第1の導電体29aと、第1の導電体29aから見て、第1の導電領域6の位置する方向と逆の方向に位置し、半導体基板3の主表面よりも深い位置に形成された絶縁体28b、28cと、絶縁体28b、28cから見て、第1の導電体29aの位置する方向と逆の方向に位置し、半導体基板3の主表面よりも深い位置に形成された第2の導電体29bとを備える分離構造。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面に形成された、第1の導電領域と第2の導電領域とを分離する分離構造であって、前記半導体基板の主表面よりも深い位置に形成され、前記第1の導電領域と前記第2の導電領域との間に電界が形成された際に、前記電界中の電位を段階的に低くする電位調節手段を備える分離構造。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861
FI (7件)：
H01L 29/78 621 ,  H01L 21/76 S ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/91 D
Fターム (13件)：
5F032AA06 ,  5F032AC04 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032CA24 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53 ,  5F032DA71 ,  5F040DC01 ,  5F040EB12 ,  5F040EB14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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