特許

J-GLOBAL ID：200903058014961562

ウェット剥離洗浄方法およびウェット剥離洗浄装置

発明者： 米谷 真人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-164687
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005351
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】処理速度の増加を目的として、酸化種および還元種の濃度を増加させても、基板上に形成された金属薄膜または半導体薄膜などの下地膜のダメージが少ないウェット剥離洗浄方法および装置を提供する。【解決手段】本発明のウェット剥離洗浄方法は、基板の表面に形成された金属薄膜または半導体薄膜上の有機物由来の汚染および無機物由来の汚染を除去する方法であって、金属薄膜または半導体薄膜に電力を印加することを特徴とする。また、本発明のウェット剥離洗浄装置は、かかる方法を実施する装置であって、金属薄膜または半導体薄膜に接地する基板接地電極と、基板に対向する位置に配置する対向電極と、基板接地電極および対向電極に接続する電源とを備え、金属薄膜または半導体薄膜に電力を印加することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に形成された金属薄膜または半導体薄膜上の有機物由来の汚染および無機物由来の汚染を除去する方法であって、前記金属薄膜または前記半導体薄膜に電力を印加することを特徴とするウェット剥離洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

FI (3件)：

H01L21/304 647Z ,  G03F7/42 ,  H01L21/30 572B

Fターム (5件)：

2H096AA25 ,  2H096LA02 ,  5F046MA02 ,  5F046MA06 ,  5F046MA07