特許
J-GLOBAL ID：200903058025342783
アレイ型半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018509
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220204
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 安価なアレイ型半導体レーザを提供し、且つ、半導体レーザアレイとベース材とを接合する際に生じる熱応力によって半導体レーザアレイが破損することを防止すること。【解決手段】 半導体基板上に複数のレーザ発光領域を有する多層成長層を形成した半導体レーザアレイにおいて、発光領域間に半導体基板の深部にまで至る分割溝を形成する。つぎに前記半導体レーザアレイを線膨張率の異なるベース材上に接合したときに発生する熱応力や、接合後に発生させる反りを利用して、分割溝先端部から亀裂を進展させて分割する。これにより半導体レーザアレイが受ける大きな熱応力を低減することが可能となり、従来必要であった応力緩和材を排除でき、なおかつ半導体レーザアレイの破損を回避できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数のレーザ発光領域を有する多層成長層を形成した半導体レーザアレイを備えるアレイ型半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザアレイは前記レーザ発光領域の間に前記半導体基板に至る溝が形成されていることを特徴とするアレイ型半導体レーザ装置。
引用特許：
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