特許

J-GLOBAL ID：200903058026628800

絶縁膜の形成方法

発明者： 齋藤 義治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-254409
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112190
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】アスペクト比の大きいトレンチに絶縁膜を埋め込む。【構成】TEOS16、N2 O18およびNF3 19を反応ガスとして、2.4GHzのマイクロ波発振器12および13.56MHzの高周波発振器14の出力を交互に印加する。周期的に10秒間のマイクロ波プラズマCVDと5秒間のRIEエッチバックとを50周期だけ切り替えることにより、下部電極11の試料ウェーハ13に形成されたアスペクト比の大きいトレンチにSiO2 を埋め込んだのち、最後に250秒間、高周波発振器14の出力を印加して表面に堆積した余分のSiO2 をエッチバック(平坦化)する。

請求項（抜粋）：

テトラエチルオルソシリケート、亜酸化窒素、アンモニアおよび三弗化窒素からなる反応気体をプラズマ化して、半導体基板の表面に絶縁膜を気相成長させる絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40