特許
J-GLOBAL ID:200903058029679480
光量検出回路およびそれを用いた表示パネル
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡田 敬
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-205257
公開番号(公開出願番号):特開2006-013407
出願日: 2004年07月12日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【課題】 ダイオードによるフォトセンサはその構造上リフレッシュができず、光が当たっていない時のリーク特性が不安定であるため、フォトセンサには不適当である。また、薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難となる問題があった。【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路を構成する抵抗、容量、フォトセンサの接続数を変動させることによりフォトセンサの感度を変化させることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上にゲート電極と、絶縁膜と半導体層を積層し、該半導体層に設けられたチャネルと、該チャネルの両側に設けられたソースおよびドレインとを有する薄膜トランジスタよりなり、受光した光を電気信号に変換するフォトセンサと、
前記フォトセンサに並列に接続し、高い抵抗値を有する第1抵抗と、
前記フォトセンサの出力が、制御端子に印加されるスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタの一方の出力端子が接続する高い抵抗値を有する第2抵抗と、
該第2抵抗が接続する第1電源端子と、
前記スイッチングトランジスタの他方の出力端子に接続する第2電源端子とを具備し、
前記フォトセンサの出力に応じた電圧を前記制御端子に印加して前記スイッチングトランジスタを導通させ、前記スイッチングトランジスタと前記第2抵抗の接続点から出力電圧を検出することを特徴とする光量検出回路。
IPC (6件):
H01L 27/14
, G09G 3/20
, G09G 3/36
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 31/10
FI (8件):
H01L27/14 Z
, G09G3/20 642F
, G09G3/20 680H
, G09G3/36
, H01L29/78 613Z
, H01L29/78 616A
, H01L29/78 622
, H01L31/10 G
Fターム (64件):
2H093NC42
, 2H093NC53
, 2H093NC62
, 2H093ND41
, 2H093ND48
, 4M118AA10
, 4M118AB10
, 4M118BA02
, 4M118CA02
, 4M118CA11
, 4M118DD12
, 5C006AC11
, 5C006AF44
, 5C006AF46
, 5C006AF54
, 5C006AF63
, 5C006BB16
, 5C006BC02
, 5C006BF39
, 5C080AA10
, 5C080BB05
, 5C080DD03
, 5C080EE29
, 5C080FF11
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5C080JJ05
, 5C080JJ06
, 5F049MA11
, 5F049MB03
, 5F049NA17
, 5F049NB10
, 5F049SE05
, 5F049SS01
, 5F049UA14
, 5F110AA04
, 5F110AA06
, 5F110BB02
, 5F110BB09
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE04
, 5F110EE30
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG35
, 5F110HL03
, 5F110HM12
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN44
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110PP03
引用特許:
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