特許

J-GLOBAL ID：200903058032765479

半導体装置

発明者： 坂本 勝
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075981
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243579
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 優れたコンタクト特性を示す、高速かつ低消費電力の半導体装置を提供する。【構成】 ITO薄膜108とSi領域102,105との間にTi化合物107よりなる層を設けた半導体装置。

請求項（抜粋）：

ITO薄膜とSi領域との間に少なくともTi化合物よりなる層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/40 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 31/04 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-129326
  
• 特開平1-276746
  
• 特開平2-067763