特許
J-GLOBAL ID:200903058033623635
多層配線基板装置とその製造方法ならびにそれを用いた電子装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平2-235621
公開番号(公開出願番号):特開平5-183273
出願日: 1990年09月07日
公開日(公表日): 1993年07月23日
要約:
【要約】 電子出願以前の出願であるので要約・選択図及び出願人の識別番号は存在しない。
請求項(抜粋):
セラミック多層配線基板の表面に絶縁層と 配線パターン層を多層に積層した薄膜層部を 備え、上記薄膜層部の上に集積回路チップや その他の回路部品を搭載するようにした多層 回路基板において、上記集積回路チップやそ の他の回路部品のインピーダンス整合用抵抗 体を上記薄膜層部内に設けるとともに、上記 インピーダンス整合用抵抗体の電極を薄膜多 層部内の絶縁層中に設けられたスルーホール 導体に兼ねさせたことを特徴とする多層配線 基板装置。
IPC (4件):
H05K 3/46
, H01C 7/00
, H01L 23/12
, H03H 7/38
FI (2件):
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 B
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