特許

J-GLOBAL ID：200903058035227478

ITOドライエッチング装置およびこれを用いる方法

発明者： 貞本 満 ,  柳川 紀行 ,  岩森 暁
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313702
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150467
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】安定したHIのプラズマが形成できると同時に、ドライエッチングが進行しない期間を大幅に短縮する装置を提供する。【解決手段】印加電極の上に絶縁基板を設置し、かつITO付き基板と平坦性を合わせる。

請求項（抜粋）：

高周波平行平板容量結合型放電電極と、ITO付き基板を保持するための印加電極と、ヨウ化水素を含むガスの放出孔を有する対向電極とからなる装置において、ITO付き基板で覆われることなく露出している印加電極の露出部分を絶縁基板にて被覆してなることを特徴とするITOドライエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A

Fターム (25件)：

4K057DA12 ,  4K057DB11 ,  4K057DD01 ,  4K057DD08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG06 ,  4K057DG16 ,  4K057DM02 ,  4K057DM14 ,  4K057DM18 ,  4K057DM28 ,  4K057DN01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB31