特許
J-GLOBAL ID：200903058040320508
薄膜トランジスタの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089119
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275648
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 電流キュアをおこなうことによって薄膜トランジスタ(TFT)の特性を改善せしめる方法において、特にNチャネルTFTとPチャネルTFTが同一基板上に混在するCTFT回路において最適な方法を提供する。【構成】 陽極酸化可能な材料によってゲイト電極を形成したのち、電解溶液中で該ゲイト電極表面を陽極酸化し、ゲイト電極表面を絶縁性の被膜によって被覆する。さらに、N型不純物を全面に導入する。次に、NチャネルTFTの領域のみを絶縁性のマスク材で被覆し、再び電解溶液中に浸漬してゲイト電極に負の電圧を印加して、電流キュアをおこなう。この際に、NチャネルTFTのゲイト絶縁膜には実効的な電圧が印加されず電流キュアがおこなわれないが、PチャネルTFTにはゲイト電極に印加された負の電圧によって電流キュアがおこなわれる。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも1つのNチャネル薄膜トランジスタ用の第1の島状非単結晶半導体領域と少なくとも1つのPチャネル薄膜トランジスタ用の第2の島状非単結晶半導体領域とを形成する第1の工程と、前記両非単結晶半導体領域を覆う絶縁被膜と、前記絶縁被膜上に、前記第1および第2の半導体領域をそれぞれ横断して陽極酸化可能な材料によって形成されたゲイト電極を形成する第2の工程と、該基板を電解溶液中に浸漬し、前記ゲイト電極を正極として電流を印加することによって前記ゲイト電極の表面に陽極酸化物を形成する第3の工程と、前記両半導体領域にN型の導電型を示す不純物をドーピングする第4の工程と、前記第1の半導体領域の全面に絶縁性の材料によってマスクを形成する第5の工程と、該基板を電解溶液中に浸漬し、前記ゲイト電極に負の電圧を印加する第6の工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
