特許

J-GLOBAL ID：200903058040520264

多層配線基板および該多層配線基板を用いた半導体装置

発明者： 板垣 峰広 ,  祐伯 聖 ,  中村 嘉文 ,  天見 和由 ,  竹沢 弘輝 ,  長谷 伸啓 ,  三谷 力 ,  中谷 誠一 ,  別所 芳宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325864
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163524
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、多層配線基板、特に、絶縁層と配線層とを交互に積層し、各配線層の間をインナバイアホールで接続した多層配線基板に関し、該多層配線基板の耐久性等を維持しつつ、剛性率の向上等を図った信頼性の高い多層配線基板およびかかる多層配線基板に半導体素子が実装された半導体装置を提供する。【解決手段】 コア絶縁層と、その上に積層形成される外部絶縁層の組成や材質を異にしたクラッド状の多層配線基板を用いる。

請求項（抜粋）：

インナビアホールにより接続された配線層をその片面または両面に備えたコア絶縁層と、インナビアホールにより上記配線層と接続された配線層を備えた外部絶縁層と、から熱圧着一体とした多層配線基板であって、上記コア絶縁層と上記外部絶縁層との物理的特性が異なることを特徴とする多層配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/03 630

FI (5件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 T ,  H05K 1/03 630 A ,  H01L 23/12 N