特許

J-GLOBAL ID：200903058050515170

プラズマ処理方法およびこれに用いられるプラズマ処理装置

発明者： 高妻 誠 ,  功刀 俊介 ,  真弓 聡
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-103173
公開番号（公開出願番号）：特開2004-305918
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】大面積化に際しても均一で信頼性の高い表面処理を行うことのできるプラズマ処理装置および処理方法を提供する。【解決手段】所定の間隔を隔てて対向する一対の電極間にガスを供給して電界を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電によるプラズマを発生させ、被処理物にプラズマ処理を行う方法において、前記電極間に、単位面積あたりの静電容量が0.07〜0.6pF/mm2である誘電体が設けられていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定の間隔を隔てて対向する一対の電極間にガスを供給して電界を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電によるプラズマを発生させ、被処理物にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、 前記電極間に単位面積あたりの静電容量が0.07〜0.6pF/mm2である誘電体が設けられていることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

B08B7/00 ,  B01J19/08 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  G02F1/1333 ,  H05H1/24

FI (6件)：

B08B7/00 ,  B01J19/08 E ,  C23C14/02 Z ,  C23C16/02 ,  G02F1/1333 500 ,  H05H1/24

Fターム (35件)：

2H090HC01 ,  2H090JB02 ,  2H090JC19 ,  2H090LA01 ,  3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116BB89 ,  3B116BC01 ,  4G075AA30 ,  4G075BB10 ,  4G075BC10 ,  4G075CA15 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075FC15 ,  4K029AA09 ,  4K029BA07 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029FA05 ,  4K029KA03 ,  4K030BA06 ,  4K030CA06 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030LA18 ,  5C012AA09 ,  5C012BD04 ,  5C027AA01 ,  5C040GC19 ,  5C040JA23