薄膜トランジスタ及びその製造方法及び液晶表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-123382
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307114
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法及び液晶表示装置に関し、ソース及びドレイン電極とゲート電極との重なりによる浮遊容量を低減し、且つコンタクト特性の優れた薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】基板14上に設けられたゲート電極34と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜36と、ゲート絶縁膜上に設けられた動作半導体膜38と、動作半導体膜上に設けられたチャネル保護膜40と、チャネル保護膜に覆われて動作半導体膜の両側に位置する半導体コンタクト部42、44と、チャネル保護膜の両側において該半導体コンタクト部に接続されるソース電極46及びドレイン電極48とを具備した構成とする。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられたゲート電極(34)と、該ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜(36)と、該ゲート絶縁膜上に設けられた動作半導体膜(38)と、該動作半導体膜上に設けられたチャネル保護膜(40)と、該チャネル保護膜に覆われて該動作半導体膜の両側に位置する半導体コンタクト部(42、44)と、該チャネル保護膜の両側において該半導体コンタクト部に接続されるソース電極(46)及びドレイン電極(48)とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 616 S , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 617 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-318168 出願人：日本電気株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-009046 出願人：京セラ株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-261423 出願人：株式会社東芝

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