特許
J-GLOBAL ID:200903058060777288
マルチチップ素子構造
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
則近 憲佑
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-332758
公開番号(公開出願番号):特開平7-193172
出願日: 1993年12月27日
公開日(公表日): 1995年07月28日
要約:
【要約】【目的】本発明は、半導体素子の性能を十分発揮させ、パワーエレクトロニクス装置の高機能化・高密度化・小型化・信頼性向上を図ることのできるマルチチップ素子構造を提供することにある。【構成】本発明は、薄型の半導体ペレットを導電性の良好な金属のブロックで挟んで周囲を気密性のシール構造で構成し、前記ブロックの外部より加圧してなる半導体素子において、前記ブロックの中空内部にペレット冷却用の冷媒を循環させると共に複数の半導体ペレットをブロックの同一面上に配置し、同時に加圧してなる構造であるので、冷却器とブロック間の接触及びブロック内の熱抵抗がなく冷却効率がよい。そのため冷却器が小型化でき、素子の実装密度・電流密度・スイッチング周波数を向上できる。
請求項(抜粋):
薄型の半導体ペレットを銅のような導電性の良好なブロックで挟んで周囲を気密性のシール構成とし、前記ブロックの外部より加圧してなる半導体素子において、複数のペレットを同一面上に配置し、同時に加圧してなる構造としたことを特徴とするマルチチップ素子構造。
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