特許

J-GLOBAL ID：200903058065230678

磁性多層膜

発明者： 小室 又洋 ,  光岡 勝也 ,  高橋 宏昌
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中本 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194544
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020834
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 飽和磁束密度の高い強磁性元素を含んだ膜で保磁力を小さくした磁性多層膜を提供する。【構成】 強磁性元素を含む膜と、該強磁性元素を含む膜の面間隔と整合関係を持った面間隔を有する非磁性材料とを交互にエピタキシャル成長して積層している磁性多層膜であり、前記強磁性元素を含む膜は、Fe-N二元系膜又はFe-Co-N三元系膜であり、非磁性材料はMgO,GaAs,In0.2 Ga0.8 Asから選ばれた少なくとも一つであり、また、この磁性多層膜は、保磁力が20Oe以下、飽和磁束密度が2.0T以上である。

請求項（抜粋）：

強磁性元素を含む膜と、該強磁性元素を含む材料がもつ格子定数と近似した格子定数をもつ非磁性材料とが、交互に積層していることを特徴とする磁性多層膜。

IPC (5件)：

H01F 10/14 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/20