特許
J-GLOBAL ID：200903058073845045
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-019538
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021801
出願日： 1991年01月19日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、信頼性、電気的特性に優れた絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを提供することを特徴とする。【構成】 基板上に設けられた絶縁ゲイト型電界効果トランジスタであり、ソース5’とゲイト電極4の下にある半導体膜7’との間、そしてドレイン6’とゲイト電極4の下にある半導体膜7’との間に炭素、窒素、酸素の内すくなくとも一種類の元素が添加された領域イ’,ロ’が設けられている半導体装置。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、ソース領域とゲート電極下の半導体膜との境界付近、ドレイン領域とゲート電極下の半導体膜との境界付近の少なくともどちらか一方に炭素、窒素、酸素の内少なくとも一種類の元素が添加された領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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