特許
J-GLOBAL ID：200903058074005369
磁気抵抗効果素子および磁界センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309489
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124522
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 素子-外部磁場間の操作性に優れ、しかも実用性に優れた負の抵抗変化率を示す磁気抵抗効果素子を提供する。さらにはこの素子を用いた高出力の磁界センサを提供する。【解決手段】 第一の磁性層と第二の磁性層が非磁性層を介して接合されてなる積層膜構造を有し、当該積層膜面に対し垂直に電流を流したときの電気抵抗が外部磁界の印加により変化する磁気抵抗効果素子であって、当該磁気抵抗効果素子は、外部磁界Hs を印加した場合の抵抗値をRs 、外部磁界H(ただし、|Hs|>|H|)を印加した場合の抵抗値をRとしたとき、(R-Rs )/Rs であらわされる抵抗変化率が負の値を示し、かつその絶対値が5%以上の値を有するように構成する。また、本発明の磁界センサは、負の抵抗変化を示す素子と、正の抵抗変化を示す素子とが組み合わされ、差動動作させて用いられるように構成する。
請求項（抜粋）：
第一の磁性層と第二の磁性層が非磁性層を介して接合されてなる積層膜構造を有し、当該積層膜面に対し垂直に電流を流したときの電気抵抗が外部磁界の印加により変化する磁気抵抗効果素子であって、当該磁気抵抗効果素子は、外部磁界Hs を印加した場合の抵抗値をRs 、外部磁界H(ただし、|Hs |>|H|)を印加した場合の抵抗値をRとしたとき、(R-Rs )/Rs であらわされる抵抗変化率が負の値を示し、かつその絶対値が5%以上の値を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
2G017AC08
, 2G017AD54
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 2G017BA05
, 2G017BA09
, 5D034BA02
, 5D034BB02
