特許

J-GLOBAL ID：200903058081496971

絶縁ゲート形電界効果トランジスタ

発明者： 北平 康雄 ,  五十嵐 保裕
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283115
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121747
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 パワーMOSFETのアバランシェ耐量、絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ(IGBT)のラッチアップ耐量を増大する。【構成】 ドレイン領域を構成する半導体基板(1)に、チャネル領域(2)と、チャネル領域内のソース領域(3)と、ソース領域とドレイン領域の導通を制御する半導体基板上に設けられたゲート電極(5)と、半導体基板表面のソース領域及びチャネル領域と接続する金属電極(9)とを具備する縦型の絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、チャネル領域(2)の不純物濃度の拡散プロファイルは、ソース領域(3)の底部付近で最も高い、最高濃度領域(11)を具備する。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域を構成する半導体基板に、チャネル領域と、該チャネル領域内のソース領域と、該ソース領域とドレイン領域の導通を制御する半導体基板上に設けられたゲート電極と、半導体基板表面のソース領域及びチャネル領域と接続する金属電極とを具備する縦型の絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル領域の不純物濃度の拡散プロファイルは、前記ソース領域の底部付近で最も高い最高濃度領域を具備することを特徴とする絶縁ゲート形電界効果トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 321 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-214740
  
• 特開昭60-202967
  
• 特開昭60-196974
  
• 特開平1-300569
  
• 特開昭61-013667