磁気浮上装置の制御装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：熊谷隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-259252
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】磁気浮上制御開始から安定浮上支持制御に至るまでの間に発生する制御対象体の減衰振動と浮上制御開始段階の振動により発生していた制御対象体と電磁石の接触破損、接触に伴う塵埃の発生とを防止し、更に浮上制御開始から所定の浮上制御目標位置に至るまでの時間を調整することができる磁気浮上装置の制御装置を提供する。【解決手段】浮上支持制御の開始から制御対象体15が所定の制御目標位置Bに安定するまでの制御を該浮上支持制御が開始されると同時に位相補償回路部23の出力信号を時間的に遅延させて一対の電磁石11、13に発生する磁気吸引力又は磁気反発力を緩やかに変動させると共に、浮上支持制御の停止から制御対象体が着座するまでの制御を該浮上支持制御の停止が開始されると同時に位相補償回路部の出力信号を時間的に遅延させて一対の電磁石に発生する磁気吸引力又は磁気反発力を緩やかに変動させるソフト制御回路部40を設けた。

請求項（抜粋）：

相対向する一対の電磁石と該一対の電磁石の間に配置された磁化可能な制御対象体と、相対向して配置され該制御対象体の位置変位を検出する位置変位検出センサを具備し、該位置変位検出センサの検出信号を位相補償回路部及びゲイン調整回路部を有する制御回路部に入力し、位相補償及びゲイン調整を行って得られる制御電流出力を前記一対の電磁石に出力して磁気吸引力又は磁気反発力を制御し、制御対象体を該電磁石間の任意の位置に非接触で浮上支持制御する磁気浮上装置の制御装置において、前記浮上支持制御の開始から前記制御対象体が所定の制御目標位置に安定するまでの制御を該浮上支持制御が開始されると同時に前記位相補償回路部の出力信号を時間的に遅延させて前記一対の電磁石に発生する磁気吸引力又は磁気反発力を緩やかに変動させると共に、前記浮上支持制御の停止から制御対象体が着座するまでの制御を該浮上支持制御の停止が開始されると同時に前記位相補償回路部の出力信号を時間的に遅延させて前記一対の電磁石に発生する磁気吸引力又は磁気反発力を緩やかに変動させるソフト制御回路部を設けたことを特徴とする磁気浮上装置の制御装置。

IPC (4件)：

G05D 3/12 304 , G05D 3/12 305 , G05B 11/36 501 , H02N 15/00

FI (4件)：

G05D 3/12 304 , G05D 3/12 305 Z , G05B 11/36 501 E , H02N 15/00

Fターム (36件)：

5H004GA01 , 5H004GA12 , 5H004GB15 , 5H004HA07 , 5H004HB07 , 5H004JA01 , 5H004JA07 , 5H004JB01 , 5H004JB07 , 5H004KA62 , 5H004KA69 , 5H004KB02 , 5H004KB28 , 5H004LB05 , 5H004MA12 , 5H004MA36 , 5H303AA30 , 5H303BB01 , 5H303BB07 , 5H303BB11 , 5H303BB17 , 5H303CC04 , 5H303DD12 , 5H303DD19 , 5H303EE04 , 5H303FF04 , 5H303FF20 , 5H303GG06 , 5H303HH01 , 5H303HH07 , 5H303KK02 , 5H303KK24 , 5H303KK35 , 5H303LL03 , 5H303MM05 , 5H303QQ03

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