特許

J-GLOBAL ID：200903058105117594

マイクロ波マグネトロンスパッタ装置

発明者： 吉田 善一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076455
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283365
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 半導体等の薄膜形成に用いられるスパッタリング装置において、低ガス圧プロセスを実現させる。【構成】 マイクロ波用ドアノブ型同軸管の中心導体14aの終端に同軸円状の永久磁石19を埋め込み、マグネトロン放電用の磁気回路を作る。また、ターゲット20に高周波電力を印加するために中心導体内部を50Ωの同軸線路にする。この結果、アルゴンで、2×10-4Torrの高周波(13.56MHz)スパッタリングができるマイクロ波マグネトロン放電が可能になった。

請求項（抜粋）：

マイクロ波発振器と、一端にマイクロ波発振器が設けられた空洞共振器と、前記空洞共振器のマイクロ波発振器が設けられた側とは逆の端に設けられ、終端が開口のドアノブ型である同軸管と、前記同軸管の中心導体は空洞共振器の内部の途中まで、電界の方向と平行に挿入されており、前記同軸管の途中に配されたマイクロ波が通過し真空封じができるガラス板とドアノブ部とガス導入口と排気口が取り付けられた真空槽と、前記中心導体に埋め込まれた同心円状にN極とS極が交互にあるマグネトロン用の永久磁石と、永久磁石の上に置かれ中心導体とは電気的に絶縁されたスパッタターゲットとを備え、前記中心導体の内部が高周波用の同軸管になっており、ターゲットに高周波電力を印加することができるマイクロ波マグネトロンスパッタ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/35 ,  H01L 21/203