特許
J-GLOBAL ID：200903058105633541
非晶質シリコン膜の作製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233116
公開番号（公開出願番号）：特開平10-081968
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 絶縁基板上にも高純度で欠陥の少ない高品質な非晶質シリコン膜またはシリコン化合物薄膜を作製したい。【解決手段】 電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相堆積法により非晶質シリコン膜またはシリコン化合物薄膜を作製するにあたり、前記非晶質シリコン膜またはシリコン化合物薄膜を堆積すべき基板(4)にRFバイアス(2)を印加する。
請求項（抜粋）：
電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相堆積法により非晶質シリコン膜を作製するにあたり、前記非晶質シリコン膜を堆積すべき基板にRFバイアスを印加することを特徴とする非晶質シリコン膜の作製法。
IPC (7件)：
C23C 16/24
, C23C 16/42
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 31/04
C23C 16/24
, C23C 16/42
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 29/78 618 A
, H01L 31/04 V
