特許
J-GLOBAL ID：200903058109449362
SiC単結晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088909
公開番号（公開出願番号）：特開平6-298600
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：
【要約】【目的】 高品質SiCウェハを作製するため、良質で大型のSiC単結晶インゴットを成長させる方法を提供する。【構成】 昇華再結晶法において、粉末SiC原料とは別にSiを含むガスを供給する成長方法。
請求項（抜粋）：
粉末SiC原料を加熱昇華させて原料温度より低い温度に保ったSiC単結晶からなる種結晶上にSiC単結晶を成長させる昇華再結晶法において、SiC供給源として粉末SiCとは別にSiを含むガスを供給することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 23/00
, H01L 33/00
