特許

J-GLOBAL ID：200903058113293679

静電チャック基盤とその製造方法

発明者： 成木 紳也
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 矢葺 知之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286365
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121599
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 真空中および大気中で吸着力が非常に高い静電チャック基盤を提供する。【解決手段】 絶縁体基盤、導体層、誘電体層からなる静電チャック基盤において、誘電体層がTi1-x Mx O2 の組成を有する静電チャック基盤。ここで、MはTa、NbまたはSbの5価金属元素(x=1×10-5〜2×10-4)、あるいはWまたはMoの6価金属元素(x=5×10-6〜1×10-4)である。Mの置換により誘電体の体積固有抵抗率を108〜1012Ω・cmに制御でき、吸着力を発現する。誘電体はTiO2 とM2 O5 またはMO3 を混合・成形後、1200〜1600°Cの温度で大気中で焼成して製造される。

請求項（抜粋）：

誘電体層と、該誘電体層の一主面に設けられた導体層と、該導体層を被覆する絶縁体基盤とを備えた静電チャックにおいて、前記誘電体層がTi1-x Mx O2 (ここで、MはTa、Nb、Sbから選ばれる少なくとも1つの元素)の組成を有する相対密度90%以上のセラミックスであり、xが1×10-5〜2×10-4の範囲であることを特徴とする静電チャック基盤。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  C04B 35/46 ,  H02N 13/00

FI (4件)：

H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D ,  H02N 13/00 D ,  C04B 35/46 Z