特許
J-GLOBAL ID：200903058114966197
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
米澤 明 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-259747
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218064
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 トレンチ構造によって素子の占める面積を減らした集積度が高く、動作速度を向上させたバイポーラトランジスタをマスク使用回数を減らして製造する。【構成】 埋め込み層用のドープをマスクを使用せずにおこない、またコレクタ領域の形成後に、コレクタの不純物と逆極性の半導体を形成する不純物をマスキング工程なしにドープし、コレクタの不純物との中和によって、コレクタ領域以外にエミッタおよびベース用の不純物の拡散層を形成するとともに、一対のコレクタの外側604に素子分離用のエッチングを行うとともに、1対のコレクタの間にはエミッタとベースを上下に配置した領域を、コレクタ領域と分離するコレクタエミッタ分離領域用のエッチングを行うバイポーラトランジスタの製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体装置を製造する方法において、半導体基板に埋め込み層用のマスキング工程なしに埋め込み層用の不純物のドープを行った後、エピタキシャル層を成長させ、エピタキシャル層にコレクタを形成するとともに不純物の拡散によってコレクタシンク領域を形成してコレクタと埋め込み層とを結合する工程と、コレクタ領域の不純物と逆極性の半導体を形成する不純物をマスキング工程なしにドープし、次いで多結晶シリコン層を形成しコレクタの不純物と同一の不純物を全面にドープした後に、CVD法によって酸化膜を形成し、次いで熱拡散した後に、隣接する一対のコレクタ領域の外側にはコレクタ領域に隣接した素子分離領域と、一対のコレクタ領域の中間にエミッタおよびベースを上下に配置したエミッタベース領域をコレクタ領域から間隔をおいて設けるためのコレクタエミッタ分離領域をそれぞれ形成するために第1のシリコン多結晶層およびそれに続く不純物の拡散層をエッチングした後に、熱酸化膜を形成し、側壁の熱酸化膜を残して素子分離領域およびコレクタエミッタ分離領域を、エピタキシャル層の中間までエッチングした後に、薄い熱酸化膜を形成し、さらに素子分離領域のみを半導体基板までエッチングし、素子分離領域に多結晶シリコンを堆積するとともに、エミッタベース領域の側壁の薄い熱酸化膜を除去して多結晶シリコンからなるベース電極と接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/76
