特許

J-GLOBAL ID：200903058122065336

半導体装置

発明者： 白井 優之 ,  大塚 寛治 ,  三輪 孝志 ,  中野 哲夫 ,  小出 一夫 ,  山際 明 ,  大場 隆夫 ,  畑田 敏夫 ,  松島 均 ,  宮崎 邦夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075133
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317491
出願日： 1990年03月12日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 低コストで、高信頼度かつ高性能を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップ1の隣り合う第1及び第2の辺に沿って形成された複数の配線層に一番近い配線層と、前記第1または第2の辺に沿う複数の配線層のうち、それぞれ前記第1の辺または第2の辺に沿う複数の配線層に一番近い配線層との間にバイパスコンデンサ14を設ける。

請求項（抜粋）：

第1の辺、第2の辺、第3の辺、第4の辺を有する四角形の半導体チップと、前記半導体チップの隣り合う第1及び第2の辺それぞれに沿って形成された複数の配線層と、前記第1の辺に沿う複数の配線層のうち前記第2の辺に沿う複数の配線層に一番近い配線層と、前記第2の辺に沿う複数の配線層のうち前記第1の辺に沿う複数の配線層に一番近い配線層との間に設けられたバイパスコンデンサとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/00 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/34

FI (3件)：

H01L 25/00 B ,  H01L 23/34 A ,  H01L 23/12 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-005448
  
• 特開昭64-024446