特許

J-GLOBAL ID：200903058125793421

塗布膜形成装置およびエージング処理装置

発明者： 酒井 宏司
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313117
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138210
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 処理室内の圧力が大きく変動した場合であっても、処理室内のガスの漏洩を確実に防止することができるエージング処理ユニットを備えた塗布膜形成装置およびそのようなエージング処理装置を提供すること。【解決手段】 エージングユニット(DAC)21の処理室S内の圧力を検知するための処理室圧力モニター83が設けられており、処理室圧力モニター83が所定の上限値または下限値を検知した場合、アンモニア蒸気の供給を停止して不活性ガスを供給すると共に、処理室S内を排気し、これにより、処理室S内を不活性ガスにより置換する。

請求項（抜粋）：

基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成するための塗布膜形成装置であって、粒子またはコロイドを溶媒に分散させた塗布液を基板に塗布する塗布処理ユニットと、基板上に形成された塗布膜をゲル化処理するエージングユニットと、基板上の溶媒を置換するためのソルベントイクスチェンジユニットとを具備し、前記エージングユニットは、減圧可能に構成され、基板を収容する処理室と、処理室内の基板を加熱する加熱プレートと、処理室内に薬液蒸気を供給する薬液蒸気供給手段と、処理室内を排気するための排気手段と、処理室内の圧力を検知するための処理室圧力モニターと、を有することを特徴とする塗布膜形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  B05C 9/12

FI (2件)：

H01L 21/31 A ,  B05C 9/12

Fターム (18件)：

4F042AA07 ,  4F042BA06 ,  4F042DH09 ,  4F042EB00 ,  4F042EB24 ,  4F042EB30 ,  5F045AC12 ,  5F045BB20 ,  5F045CB05 ,  5F045DP28 ,  5F045EB20 ,  5F045EE14 ,  5F045EG02 ,  5F045EG08 ,  5F045EK09 ,  5F045EM04 ,  5F045EM10 ,  5F045GB06