特許
J-GLOBAL ID：200903058126428727
化合物半導体単結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325778
公開番号（公開出願番号）：特開平9-165294
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 成長容器の一端に種結晶を配置し、他端に原料結晶を配置して昇華法又はハロゲン輸送法で種結晶上に単結晶を成長させる方法で、種結晶の固定治具接触部付近における多結晶の析出を防止し、結晶性に優れた化合物半導体単結晶を再現性良く成長する方法を提供しようとするものである。【解決手段】 成長容器に収容する種結晶の中央部を裏面に突出させて周辺部より厚くし、かつ、成長容器の種結晶収容部を種結晶の裏面形状に合わせ、種結晶を収容部に接触保持することより、種結晶表面中心部の温度を周辺部よりも低く保持して単結晶を成長させる方法である。
請求項（抜粋）：
成長容器一端の種結晶収容部に種結晶を配置し、他端に原料結晶を配置して昇華法又はハロゲン輸送法により、種結晶上に単結晶を成長させる方法において、前記種結晶の中央部を裏面に突出させて周辺部より厚くし、かつ、成長容器一端の種結晶収容部を種結晶の裏面形状に対応させて中央部に最も薄い部分を設け、種結晶を該収容部に接触させることにより、種結晶表面中心部の温度を周辺部よりも低く保持して単結晶を成長させることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 23/02
, C30B 25/20
, C30B 29/48
, H01L 21/203
C30B 23/02
, C30B 25/20
, C30B 29/48
, H01L 21/203 Z
