特許
J-GLOBAL ID：200903058129707775
メガソニック場の存在下において稀薄化学エッチング剤を用いるSiO2エッチング速度の制御
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-313233
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154690
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 シリコン体を確実に清浄するより簡単な、よりコスト効率の高い化学的方法、特に、金属性沈殿汚染物が清浄剤によって導入されない方法、を提供する。【解決手段】 シリコン体を清浄し、シリコン基材の上に存在する二酸化珪素の層の厚みを制御的に減少させる方法を開示する。この方法は、メガソニック場の存在下に稀薄エッチング剤で二酸化珪素の層を化学的にエッチングすることを含んで成る。エッチング剤の濃度は、所定温度におけるその拡散速度制限閾値濃度よりも低いのが好ましい。水性アルカリヒドロキシルイオンエッチング剤が使用される場合、エッチング剤の濃度は、水に対して約300重量ppm未満であるのが好ましい。エッチングは、シリコン基材がエッチング剤に曝露される前に、停止される。
請求項（抜粋）：
シリコン基材の上に存在する二酸化珪素の層の厚みを減少させる方法であって、この方法が、メガソニック場の存在下に、二酸化珪素の層をエッチング剤で化学的にエッチングし、エッチング剤の濃度は、二酸化珪素の層がエッチングされる温度に対する拡散速度制限閾値濃度よりも低い濃度である;およびシリコン基材がエッチング剤に曝露される前に、エッチングを停止する;ことを含んで成る方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/306 D
, C23F 1/32
