特許

J-GLOBAL ID：200903058129770779

マイクロ波プラズマ発生装置

発明者： 吉田 善一 ,  木村 忠司 ,  水口 信一 ,  北川 雅俊
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247772
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106094
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 マイクロ波を放射するためのアンテナとトロイダル型の磁場トンネルとの間にアンテナと磁場トンネルに対して垂直方向に移動する基板を設けることにより、大面積の基板に均一な薄膜を高速に形成することのできるマイクロ波プラズマ発生装置を実現する。【構成】 同軸コネクター11に直線型アンテナ12を設け、同軸コネクター11から例えば2.45GHzのマイクロ波を直線型アンテナ12へ導く。直線型アンテナ12の下側に角型基板13を設け、さらにこの角型基板13の下側に継鉄14に保持された永久磁石15を配置する。永久磁石15を、直線型アンテナ12に平行な棒状の永久磁石15aと、この永久磁石15aを等間隔で取り囲む永久磁石15bとにより構成する。永久磁石15a、15bは角型基板13に面するところを着磁し、永久磁石15aをS極、永久磁石15bをN極にする。

請求項（抜粋）：

マイクロ波を導入するコネクターとガス導入口と排気口とが少なくとも設けられた真空槽と、前記コネクターの真空槽側に設けられ、マイクロ波を放射するアンテナと、前記アンテナが放射する電界と直交する成分を有する磁界を空隙に発生させる磁界発生手段とを備え、前記アンテナと前記磁界発生手段との間に基板を配置し、成膜することを特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。

IPC (2件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50