薄い金属膜に基づいた静磁波デバイス、これを製造するための方法、及びマイクロ波信号を処理するためのデバイスへの応用

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 橋本良郎 , 風間鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-547721
公開番号（公開出願番号）：特表2006-504345
出願日： 2003年10月27日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

本発明は、基板(1)と、この基板(1)上に配列された導電性強磁性薄膜(2)と、これに近接する前記強磁性薄膜(2)に平行して配列され、誘導結合により前記材料の中で静磁波またはスピン波を生成する、マイクロ波電気信号を受信するための第1のトランスデューサアンテナ(10)と、誘電的に結合され、静磁波が前記強磁性薄膜(2)に達するとマイクロ波電気信号を送電するために、これに近接して前記強磁性薄膜(2)に平行して配列される、マイクロ波電気信号を送信するための第2のトランスデューサアンテナ(20)とを備え、前記第2のアンテナ(10)が実質的にそこに同一平面上にある前記第1のアンテナ(10)と、前記強磁性薄膜(2)の同じ側に位置する、集積静磁波デバイスに関する。

請求項（抜粋）：

基板(1)と、この基板(1)の上に付着され、約250nmから450nmの範囲内、好ましくは約300nmに等しい厚さ(e2)の、導電性の強磁性薄膜(2)と、誘電結合により材料内で静磁波またはスピン波を生じさせるために、前記強磁性薄膜(2)の近傍で、この強磁性薄膜(2)に平行に配置されているマイクロ波電気信号を受信するための第1のトランスデューサアンテナ(10)と、前記強磁性薄膜(2)に誘電的に結合されるため、及び強磁性薄膜(2)内での静磁波の到着時にマイクロ波電気信号を送達するために、前記強磁性薄膜(2)の近傍でこの強磁性薄膜(2)に平行に配置されているマイクロ波電気信号を送信するための第2のトランスデューサアンテナ(20)とを具備し、この第2のアンテナ(20)は、本質的に前記第1のアンテナ(10)と同一平面上にあるように、前記第1のアンテナ(10)と、前記強磁性薄膜(2)の同じ側に位置していることを特徴とする、集積静磁波デバイス。

IPC (3件)：

H01P 1/23 , H01P 1/11 , H01P 1/38

FI (3件)：

H01P1/23 , H01P1/11 Z , H01P1/38

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-101104
特開平4-002201
静磁波素子および妨害波除去装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-364740 出願人：三洋電機株式会社

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審査官引用 (9件)

特開平3-101104
特開平3-101104
特開平4-002201

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引用文献：

出願人引用 (1件)

ブラッグ反射型静磁波フィルタについて

審査官引用 (2件)

ブラッグ反射型静磁波フィルタについて
ブラッグ反射型静磁波フィルタについて

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