磁気抵抗素子及び磁気メモリ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-044176
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028362
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減する。【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化の方向が固定された第1の磁化参照層11と、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する磁化自由層13と、磁化の方向が固定された第2の磁化参照層15と、第1の磁化参照層11と磁化自由層13との間に設けられた第1の中間層12と、磁化自由層13と第2の磁化参照層15との間に設けられた第2の中間層14とを具備し、磁化自由層13及び第1の磁化参照層11の容易磁化方向は、膜面に対して垂直或いは平行であり、第1の磁化参照層11と第2の磁化参照層15との容易磁化方向は、互いに直交する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化の方向が固定された第1の磁化参照層と、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する磁化自由層と、磁化の方向が固定された第2の磁化参照層と、前記第1の磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられた第1の中間層と、前記磁化自由層と前記第2の磁化参照層との間に設けられた第2の中間層と、を具備し、前記磁化自由層及び前記第1の磁化参照層の容易磁化方向は、膜面に対して垂直或いは平行であり、前記第1の磁化参照層と前記第2の磁化参照層との容易磁化方向は、互いに直交することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01F 41/18

FI (6件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01F10/30 , H01F10/32 , H01F41/18

Fターム (52件)：

4M119AA03 , 4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD32 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF13 , 4M119FF15 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA08 , 5E049BA23 , 5E049BA25 , 5E049DB12 , 5E049DB14 , 5E049GC02 , 5F092AA01 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB38 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB55 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC32 , 5F092BC33 , 5F092BC46 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE25

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,256,223号明細書

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