特許
J-GLOBAL ID:200903058150940340
半導体製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-007421
公開番号(公開出願番号):特開平7-211663
出願日: 1994年01月27日
公開日(公表日): 1995年08月11日
要約:
【要約】【目的】 本発明はウエハの熱処理において高精度な温度計測および均一加熱を可能とする半導体製造装置を提供するものである。【構成】 ハロゲンランプ4により加熱されるウエハ2の裏面側には、遮蔽用のパイプ8が近接しており、石英ガラス窓3を通して放射温度計6でウエハ2の温度を測定する。また、保護管9に挿入した熱電対10をパイプ8の内側に近接させて温度測定を行う。これらの測定値はパソコン11に取り込み、あらかじめ求めておいた補正関数を用いてウエハ2の実温度をリアルタイムに演算し、ハロゲンランプ4の出力をコントロールする。【効果】 遮蔽治具を用いるので、ハロゲンランプの放射光による温度測定誤差が生じない。また、この遮蔽治具はウエハと接触しておらず、ウエハと同等に加熱されるので、ウエハの温度分布に影響を与えない。また、遮蔽治具の温度を測定し補正を行うので、遮蔽治具からの放射光による温度測定誤差を低減することができる。
請求項(抜粋):
加熱手段と、前記加熱手段によって加熱されるウエハと、前記ウエハの温度を測定する放射温度計とによって構成される半導体製造装置において、前記加熱手段の放射光が透過しない遮蔽治具を前記ウエハの温度測定部に近接させ、前記遮蔽治具を通して温度測定を行うことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (5件):
H01L 21/22 501
, H01L 21/22
, H01L 21/26
, H01L 21/324
, H01L 21/66
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