樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-308602
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115505
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】リードフレームの第1ダイパッドの表面及び裏面にそれぞれ電力用半導体チップ及びヒートスプレッダが接合され、第2ダイパッドの表面に能動体素子チップが接合された樹脂パッケージ型半導体装置のトランスファーモールドにおいて、ヒートスプレッダ直下の絶縁層部への樹脂の注入性を向上させる。【解決手段】両チップ1、5間であって且つ両配線用ワイヤ4A、4B間に位置するリードフレーム2のインナーリード部の先端部を上側に折り曲げて成るフレーム加工部7を、リードフレーム2に予め形成する。その上で、成形用金型のキャビティ内に樹脂を注入し、モールド成形を行う。その際、フレーム加工部7は、リードフレーム上部に流れようとする樹脂の注入量を規制する絞り部として機能し、リードフレーム下部からヒートスプレッダ6直下の絶縁層11の形成部分に流れ込む樹脂の量が増大する。

請求項（抜粋）：

その表面上に形成された複数の電極に第1配線用ワイヤがボンディングされる電力用半導体チップの裏面をリードフレームの第1ダイパッドの表面に接合し、前記第1ダイパッドの裏面にヒートスプレッダを接合し、その表面上に形成された複数の電極に第2配線用ワイヤがボンディングされる能動体素子チップの裏面を前記リードフレームの第2ダイパッドの表面に接合すると共に、少なくとも前記第1及び第2ダイパッドと前記電力用半導体チップと前記ヒートスプレッダと前記第1及び第2配線用ワイヤと前記能動体素子チップとをトランスファーモールドにより樹脂パッケージ内に封止する樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法であって、前記第1及び第2ダイパッドの表面側の樹脂の注入を絞る絞り部を、前記電力用半導体チップと前記能動体素子チップとの間であり且つ前記第1配線用ワイヤと前記第2配線用ワイヤとの間に配設したことを特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/56 , B29C 45/14 , B29C 45/26 , H01L 23/28 , H01L 25/04 , H01L 25/18 , B29K105:20

FI (6件)：

H01L 21/56 T , B29C 45/14 , B29C 45/26 , H01L 23/28 A , B29K105:20 , H01L 25/04 Z

Fターム (20件)：

4F202AG26 , 4F202AG28 , 4F202AH37 , 4F202CA12 , 4F202CB01 , 4F202CB17 , 4F202CK11 , 4F206JA02 , 4F206JB17 , 4F206JF05 , 4M109AA01 , 4M109BA02 , 4M109DB04 , 4M109FA01 , 4M109GA05 , 5F061AA01 , 5F061BA02 , 5F061CA21 , 5F061DD12 , 5F061FA05

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