特許

J-GLOBAL ID：200903058161253808

半導体装置及びその製造方法

発明者： 大村 宗司
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-137997
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331955
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、Au或いはAuを主成分とする電極が化学反応を起こして半導体装置に事故を発生させることを簡単な手段で防止或いは緩和できるようにする。【解決手段】 Au又はAuを含む電極であるソース電極2、ドレイン電極3、ゲート電極4の表面がメチルメルカプタン、エチルメルカプタン、プロピルメルカプタン、イソプロピルメルカプタンの何れかの物質、或いは、選択された複数種類の物質、或いは、前記全ての種類の物質から解離した成分を化学的に吸着して生成された自己集合膜で覆われている。

請求項（抜粋）：

Au又はAuを含む電極の表面がメチルメルカプタン、エチルメルカプタン、プロピルメルカプタン、イソプロピルメルカプタンの何れかの物質、或いは、選択された複数種類の前記物質、或いは、全ての種類の前記物質から解離した成分を化学的に吸着して生成された自己集合膜で覆われてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/28 301 G ,  H01L 21/90 S ,  H01L 29/46 G ,  H01L 29/80 F

Fターム (43件)：

4M104AA05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB11 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD43 ,  4M104DD68 ,  4M104DD89 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033MM08 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ41 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS00 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX18 ,  5F033XX31 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GV06 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19