薄膜製造装置のプロセスモニタリング法及びプロセスモニターを有する薄膜製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：近島一夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192199
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007624
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】薄膜製造装置を用いたプロセス(成膜、エッチング及びクリーニング)の状態を簡易かつ正確に監視し得るプロセスモニタリング法及び薄膜製造装置を提供する。【解決手段】真空のプロセスチェンバー2内にプロセスガスを供給し、加熱触媒体6により分解種を生成して、基板5上に堆積物を堆積する成膜プロセス、薄膜をドライエッチングするプロセス又はチェンバー内をクリーニングするプロセスを実施する。該実施中に、電極11により放電し、該放電による発光を観測窓13を通して、光電子増倍管15にて受光して、スペクトルを測定する。該スペクトルを、プロセスが良好に進行した状態と比較して、コンピュータ16がプロセス条件を変更する。

請求項（抜粋）：

プロセスガスをプロセスチェンバー内に供給し、該プロセスガスを分解手段により分解して分解種を生成してなる、薄膜製造装置において、前記プロセスチェンバー内又は該プロセスチェンバー内と同等の雰囲気中で電極により放電し、該放電による発光を前記プロセスチェンバー外に導出してそのスペクトルを検出し、該検出結果に基づきプロセス条件を制御する、ことを特徴とする薄膜製造装置のプロセスモニタリング法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/52 , H01L 21/3065 , G01N 21/67

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/52 , G01N 21/67 C , H01L 21/302 E

Fターム (25件)：

2G043AA01 , 2G043AA03 , 2G043CA01 , 2G043EA09 , 2G043FA03 , 2G043GA08 , 2G043GB21 , 2G043JA01 , 2G043LA02 , 2G043NA01 , 4K030DA06 , 4K030FA10 , 4K030HA15 , 4K030JA13 , 4K030KA39 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004CB02 , 5F004CB15 , 5F004DA01 , 5F045AA00 , 5F045EB02 , 5F045EB06 , 5F045GB04 , 5F045GB16

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