特許

J-GLOBAL ID：200903058163002225

有機半導体素子の製造方法

発明者： 久保田 純 ,  小林 本和
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 亮一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-029793
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234473
出願日： 2002年02月06日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【目的】 任意の形状を有する有機半導体素子を容易に製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供すること。【構成】 ゲート絶縁層とゲート電極とソース電極とドレイン電極と有機半導体層から成る有機半導体素子の製造方法として、1)導電性ポリマー前駆体モノマー層を形成する工程と、2)前記モノマー層を所定の温度に保持する工程と、3)前記モノマー層の所望の位置に酸化剤溶液を塗布し、所望の導電度のポリマー層を得る工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁層とゲート電極とソース電極とドレイン電極と有機半導体層から成る有機半導体素子の製造方法において、1)導電性ポリマー前駆体モノマー層を形成する工程と、2)前記モノマー層を所定の温度に保持する工程と、3)前記モノマー層の所望の位置に酸化剤溶液を塗布し、所望の導電度のポリマー層を得る工程と、を含むことを特徴とする有機半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  C08G 85/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/00

FI (4件)：

C08G 85/00 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/28

Fターム (21件)：

4J031CA24 ,  4J031CA28 ,  4J031CA49 ,  4J031CA89 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110QQ06