特許

J-GLOBAL ID：200903058166241646

蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置

発明者： 根岸 敏夫 ,  越田 達彦 ,  美原 康雄 ,  菊地 博
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 阿部 英樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-098638
公開番号（公開出願番号）：特開2003-293120
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：

【要約】【課題】膜厚を均一化して画素内の充填率を向上させる蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置を提供する。【解決手段】本発明の蒸発源3は、所定の蒸発材料を収容する長尺の容器本体30を備える。この蒸発源3は、容器本体30の長手方向に沿ってホール形状の蒸発孔34が設けられている。各蒸発孔34は、そのアスペクト比が1以上になるように構成されている。本発明によれば、指向性の強い蒸発特性となるため、画素内における膜厚の均一化を図ることができ、これにより画素内への蒸発材料の充填率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

所定の蒸発材料を収容する長尺の容器本体を備え、前記容器本体の長手方向に沿って設けられた蒸発孔を有する蒸発源であって、前記蒸発孔は、そのアスペクト比が1以上になるように構成されていることを特徴とする蒸発源。

IPC (3件)：

C23C 14/24 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (3件)：

C23C 14/24 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (10件)：

3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BA64 ,  4K029BC07 ,  4K029DB00 ,  4K029DB12 ,  4K029DB13 ,  4K029DB18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-142465   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-394259   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 有機化合物容器、有機蒸発源、及び真空蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074436   出願人：日本真空技術株式会社
• 積層体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-317416   出願人：松下電器産業株式会社